Row Precharge Delay (tRP): 5

RAS to CAS Delay (tRCD): 5

CAS Latency (CL): 5

Напряжение питания: 1.8 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 6400 Мб/с

Тактовая частота: 800 МГц

Объем: 1 модуль 2 Гб

Тип памяти: DDR2

Форм-фактор: SODIMM 200-контактный