Количество ранков: 1

Количество чипов каждого модуля: 8, двусторонняя упаковка

Row Precharge Delay (tRP): 11

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

CAS Latency (CL): 11

Напряжение питания: 1.5 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 12800 Мб/с

Тактовая частота: 1600 МГц

Объем: 1 модуль 4 Гб

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный