Количество ранков: 1

Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка

Row Precharge Delay (tRP): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

CAS Latency (CL): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 21300 МБ/с

Тактовая частота: 2666 МГц

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: DIMM 288-контактный