Поддержка команды TRIM: есть

MTBF (Среднее время наработки на отказ): 2 млн ч

Максимальный ресурс записи (TBW): 300 ТБ

Максимальная скорость последовательного чтения: 3200 Мбайт/сек

Максимальная скорость последовательной записи: 2800 Мбайт/сек

Компоновка чипов памяти: односторонняя

Ключ M.2 разъема: M

NVMe: есть

Структура памяти: 3D NAND

Физический интерфейс: PCI-E 3.x x4

Тип чипов памяти : NAND

Пропускная способность интерфейса: 32 Гбит/с

Объем накопителя: 512 ГБ

Форм-фактор: 2280