Поддержка команды TRIM: есть

Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ

Максимальная скорость последовательного чтения: 7000 Мбайт/сек

Максимальная скорость последовательной записи: 5100 Мбайт/сек

Ключ M.2 разъема: M

NVMe: есть

Структура памяти: 3D NAND

Физический интерфейс: PCI-E 4.x x4

Тип чипов памяти : NAND

Время наработки на отказ : 2млн.часов

Энергопотребление: 0.33Вт

Пропускная способность интерфейса: 32 Гбит/с

Объем накопителя: 1000 ГБ

Форм-фактор: 2280

Вес: 10гр