Сравнение товаров
1
8, односторонняя упаковка
19
19
19
1.2 В
нет
нет
нет
21300 МБ/с
2666 МГц
1 модуль 8 ГБ
DDR4
DIMM 288-контактный
Количество ранков
Количество чипов каждого модуля
Row Precharge Delay (tRP)
RAS to CAS Delay (tRCD)
CAS Latency (CL)
Напряжение питания
Низкопрофильная (Low Profile)
Буферизованная (Registered)
Поддержка ECC
Пропускная способность
Тактовая частота
Объем
Тип памяти
Форм-фактор