Поддержка команды TRIM: есть
Максимальный ресурс записи (TBW): 300 ТБ
Максимальная скорость последовательного чтения: 3200 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 2800 Мбайт/сек
Ключ M.2 разъема: M
NVMe: есть
Структура памяти: 3D NAND
Физический интерфейс: PCI-E 3.x x4
Тип чипов памяти : NAND
Время наработки на отказ : 2млн.часов
Энергопотребление: 0.33Вт
Пропускная способность интерфейса: 32 Гбит/с
Объем накопителя: 1000 ГБ
Форм-фактор: 2280
Вес: 10гр
Количество:
Отзывы покупателей