тип детали – сдвоенный NP-канальный MOSFET, предел рассеиваемой мощности – 2Вт, максимум напряжения на участке сток-исток – 30В, затвор-исток – 20В, питание управления – не больше 1В, постоянный ток на стоке – не больше 6,5А, сопротивление открытого транзистора на промежутке сток-исток – 0,029Ом. Собирается модель в корпусе типа SO-8. Основным материалом выступает пластик. При этом транзистор способен выдерживать температуры до +150оС без потери своих эксплуатационных характеристик.