Количество ранков: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Row Precharge Delay (tRP): 17

RAS to CAS Delay (tRCD): 17

CAS Latency (CL): 17

Напряжение питания: 1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 19200 Мб/с

Тактовая частота: 2400 МГц

Объем: 1 модуль 8 Гб

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: DIMM 288-контактный